Детальная информация
| Название | Исследование влияния условий роста и особенностей дизайна XBn гетеростуктур на фотоэлектрические характеристики ИК фотоприемников, изготовленных на их основе: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_07 «Физика полупроводников» |
|---|---|
| Авторы | Шуков Иван Викторович |
| Научный руководитель | Фирсов Дмитрий Анатольевич |
| Другие авторы | Краснова Надежда Константиновна |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт электроники и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2021 |
| Коллекция | Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция |
| Тематика | Полупроводниковые структуры; Инфракрасные лучи — Приемники; Фотоэлектрические приборы; Микроэлектроника |
| УДК | 537.311.322; 621.38.049.77 |
| Тип документа | Научный доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Аспирантура |
| Код специальности ФГОС | 03.06.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 030000 - Физика и астрономия |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141 |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\17291 |
| Дата создания записи | 27.09.2022 |
В данной работе представлены результаты исследования зависимости фотоэлектрических характеристик ИК-фотоприемников, изготовленных на основе трех структур XBn различного дизайна. Предлагается идея использования интерфейсов с взаимной компенсацией механических напряжений для достижения лучшего кристаллического качества барьерных структур. Также был проведен подробный аналитический обзор зарубежной литературы по теме исследования методов изготовления XBn-структур.
This paper presents the results of a study of the dependence of the photoelectric characteristics of IR photodetectors made on the basis of three XBn structures of various designs. The idea of using interfaces with mutual compensation of mechanical stresses to achieve better crystal quality of barrier structures is proposed. Also, a detailed analytical review of foreign literature was carried out on the topic of researching methods for fabricating XBn structures.
