Детальная информация
| Название | Исследование процессов селективного жидкостного травления квантово-размерных гетеростуктур на основе арсенида галлия: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники |
|---|---|
| Авторы | Антонова Анастасия Витальевна |
| Научный руководитель | Соловьев Юрий Владимирович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа магистра |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Магистратура |
| Код специальности ФГОС | 22.04.01 |
| Группа специальностей ФГОС | 220000 - Технологии материалов |
| Права доступа | Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 13.07.2016 № 91 |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\1766 |
| Дата создания записи | 11.09.2019 |
Работа посвящена исследованию процессов селективного жидкостного травления эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs для создания мощных полупроводниковых лазеров. В работе приведен аналитический обзор литературных данных касательно механизма жидкостного химического травления, изучены и выбраны виды травителей, концентрации и скорости травления структур, проведены измерения глубины травления с помощью профилометра, оценены профили травления.
The work is devoted to the study of selective liquid etching of epitaxial heterostructures AlGaAs/InGaAs/GaAs to create high-power semiconductor lasers. The paper presents analytical review of literature data regarding the mechanism of liquid chemical etching, are studied and selected types of etchants, concentration and speed of etching of the structures, measurements of the depth of etching using a profilometer, the estimated profiles of etching.
