Настоящая работа посвящена исследованию низкотемпературной терагерцовой люминесценции, связанной с примесными переходами неравновесных носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях межзонного оптического возбуждения. Обнаружено и исследовано терагерцовое излучение, связанное с оптическими переходами неравновесных электронов из первой электронной подзоны и возбужденных донорных состояний на основное состояние доноров в квантовых ямах. Показано, что изменение ширины легированных квантовых ям, приводит к смещению по спектру полосы примесной терагерцовой фотолюминесценции. Показано, что рост температуры кристаллической решетки наноструктуры с квантовыми ямами приводит к спаду интенсивности примесной терагерцовой фотолюминесценции. Определен механизм примесной терагерцовой фотолюминесценции в легированных мелкими донорами квантовых ямах в условиях межзонного фотовозбуждения. Предложены и исследованы механизмы увеличения интенсивности примесной терагерцовой фотолюминесценции в наноструктурах с легированными квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении за счет компенсации доноров акцепторами в квантовых ямах, а также за счет организации стимулированного излучения ближнего инфракрасного диапазона между основным донорным состоянием и первой дырочной подзоной.

The presented work is devoted to the study of low temperature terahertz luminescence, related to the impurity transitions of nonequilibrium charge carriers in nanostructures with quantum wells under interband optical pumping. Terahertz radiation, associated with an optical transitions of nonequilibrium electrons from the first electron subband and excited donor states to the ground donor states in quantum wells are observed and investigated. It is shown, that change of the width of doped quantum well leads to the spectral shift of the impurity-related terahertz photoluminescence band. The temperature quenching of terahertz photoluminescence intensity is also shown. The mechanism of impurity-related terahertz photoluminescence in quantum wells doped with shallow donors under interband optical excitation is determined. Mechanisms of the increase of inpurity-assisted terahertz photoluminescence intensity in nanostructures with doped quantum wells under interband photoexcitation due to the compensation of donors with acceptors in quantum wells, as well as due to the organisation of stimulated near-infrared emission between ground donor states and first heavy hole subband in quantum wells are proposed and investigated.