Детальная информация

Название: Исследование толстых слоев GaN, полученных методом хлорид-гидридной эпитаксии из паровой фазы: научный доклад: 03.06.01 - Физика и астрономия ; 03.06.01_07 - Физика полупроводников
Авторы: Леонидов Андрей Алексеевич
Научный руководитель: Шретер Юрий Георгиевич
Другие авторы: Краснова Надежда Константиновна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2018
Коллекция: Научные работы аспирантов/докторантов; Общая коллекция
Тематика: Галлий, нитриды; Сапфир; эпитаксия; алмазоподобный углерод; самоотделение; травление
УДК: 661.868.1; 549.517.14; 548.522:539.23
Тип документа: Научный доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Аспирантура
Код специальности ФГОС: 03.06.01
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\69

Аннотация

Целью диссертационного исследования является разработка методики получения свободностоящих пленок нитрида галлия диаметром два дюйма и толщиной не менее 300 мкм. Объектом исследования являются толстые (толщиной больше 150 мкм) пленки нитрида галлия, выращенные методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Предметом исследования являются процесс самоотделения толстых пленок нитрида галлия от ростовой подложки при использовании в качестве буферного слоя аморфного алмазоподобного углерода толщиной в несколько десятков микрон и процесс травления нитрида галлия в смеси HCL, H2 и N2. Научная новизна исследования заключается в создании метода, позволяющего получать свободностоящие пленки нитрида галлия в одном технологическом процессе за счет самоотделения от сапфировой подложки c напыленным на нее слоем аморфного алмазоподобного углерода.

The dissertation research goal is to develop a free-standing gallium nitride films with a diameter of two inches and a thickness of not less than 300 μm obtaining technique. The objects of study are thick (thicker than 150 μm) gallium nitride films grown by hydride vapour phase epitaxy. The subjects of the study are the self-separation of thick gallium nitride films from the growth substrate via usage of several tens of nm thick diamond-like amorphous carbon buffer layer and gallium nitride etching process in HCL, H2 and N2 mixture. The scientific novelty of the study is the creation of a method that makes it possible to obtain free-standing gallium nitride films in a single technological process via self-separation from a sapphire substrate with a layer of amorphous diamond-like carbon deposited on it.