Детальная информация

Название Эмиссионные и фотоэлектрические свойства наноструктурированных углеродных пленок: научный доклад: направление подготовки 03.06.01 «Физика и астрономия» ; направленность 03.06.01_04 «Физическая электроника»
Авторы Журкин Алексей Михайлович
Научный руководитель Архипов Александр Викторович
Другие авторы Краснова Надежда Константиновна
Организация Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения Санкт-Петербург, 2020
Коллекция Научные работы аспирантов/докторантов ; Общая коллекция
Тематика Фотопроводимость ; Пленки тонкие ; Автоэлектронная эмиссия ; углеродные квантовые точки ; низкопороговая полевая эмиссия электронов ; электронная структура ; туннельная спектроскопия ; СТМ ; АСМ ; фотоэлектрические свойства ; carbon quantum dots ; low-threshold field emission of electrons ; electronic structure ; tunneling spectroscopy ; STM ; AFM ; photoelectric properties
УДК 537.533.2 ; 539.23
Тип документа Научный доклад
Тип файла PDF
Язык Русский
Уровень высшего образования Аспирантура
Код специальности ФГОС 03.06.01
Группа специальностей ФГОС 030000 - Физика и астрономия
DOI 10.18720/SPBPU/6/2020/vn20-14
Права доступа Текст не доступен в соответствии с распоряжением СПбПУ от 11.04.2018 № 141
Ключ записи ru\spstu\vkr\9426
Дата создания записи 30.09.2020

Разрешенные действия

Прочитать Загрузить (1,4 Мб)

Группа Анонимные пользователи
Сеть Интернет

В данной работе исследован механизм явления низковольтной "холодной" полевой эмиссии электронов тонкими углеродными пленками, наиболее ярко проявляющегося для пленок на кремниевых подложках со слоем естественного окисла, а также установление закономерностей фотоэлектрических явлений. Теоретически определена локальная электронная структура различных участков тонких углеродных пленок на кремнии.

In this work, the mechanism of the phenomenon of low-voltage "cold" field emission of electrons by thin carbon films, which is most pronounced for films on silicon substrates with a layer of natural oxide, is investigated, as well as the establishment of regularities of photoelectric phenomena. The local electronic structure of various regions of thin carbon films on silicon has been determined theoretically.

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все
Прочитать Печать Загрузить
Интернет Все

Количество обращений: 143 
За последние 30 дней: 37

Подробная статистика