Детальная информация

Название: Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. — 2-е изд.
Авторы: Таперо Константин Иванович; Улимов Виктор Николаевич; Членов Александр Михайлович
Выходные сведения: Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2014
Коллекция: ЭБС "Айбукс.ру/ibooks.ru"; Общая коллекция
Тематика: Ионизирующие излучения — Действие на материалы; Микроэлектронные схемы интегральные кремниевые
УДК: 621.382.049.77; 539.16.04
Язык: Русский
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Статистика использования

stat Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика