Детальная информация

Ранее в своих публикациях авторы исследовали влияние термодеформационных режимов обработки на комплекс физико-механических свойств фольг из алюминия марки А99 для низко- и высоковольтных анодов и катодов электролитических конденсаторов. В настоящей работе авторы изучили влияние микролегирования алюминия высокой чистоты скандием и цирконием на формирование у конденсаторных фольг физических (электроемкость и токи утечки) и механических (временное сопротивление) свойств. Объект исследования - 14 образцов алюминиевой фольги, полученных лабораторным способом, среди которых: 2 образца базового алюминия марки А99 с промежуточным отжигом и без него; 6 образцов с микролегированием скандием, % (мас.): Al + 0,05 Sc; Al + 0,1 Sc; Al 99 + 0,3 Sc (с промежуточным отжигом и без него); 6 образцов с микролегированием цирконием, % (мас.): Al + 0,05 Zr; Al + 0,1 Zr; Al + 0,3 Zr (с промежуточным отжигом и без него). Исследования образцов проводили после их статического нормирования по режимам высоко- и низковольтного применения. На низковольтной фольге наблюдали повышение значений удельной емкости при содержании скандия 0,05 % (мас.), при дальнейшем увеличении показателя от 0,1 до 0,3 % (мас.) значения удельной емкости падают, при этом повышаются прочностные свойства фольг. Токи утечки во всем диапазоне легирования скандием от 0,05 до 0,3 % (мас.) на этом виде фольг увеличиваются. Микролегирование низковольтных фольг скандием повышает прочностные свойства, но не дает положительного эффекта по электропараметрам. При введении циркония в состав чистого алюминия от 0,05 до 0,3 % (мас.) как для фольг низковольтного, так и высоковольтного применения электрические параметры не улучшаются, при этом повышаются прочностные свойства. При введении промежуточного отжига наблюдается повышение величин емкости на всех образцах, тестируемых по высоковольтным режимам, и ее снижение по низковольтным режимам. Микролегирование алюминия высокой чистоты Sc и Zr эффективно с повышением содержания до 0,05 % (мас.) для фольг катодного применения, т. е. там, где не требуется создание оксидного слоя диэлектрика.