Детальная информация

В данной работе изучены Au/Pt/Ti/Pt/i(n)-In0,52Al0,48As(001) мезабарьеры Шоттки, сформированные после ионной и жидкостной очистки поверхности InAlAs, с последующим отжигом при температурах 300, 350 и 400 С продолжительностью до 16 мин. Цель работы. Установить влияние предварительной ионной очистки поверхности InAlAs и отжига на параметры (высоту барьера и коэффициент идеальности) Pt/n-InAlAs барьеров Шоттки. Метод. Параметры рассчитаны путём анализа вольтамперных характеристик в рамках теории термоэлектронной эмиссии. Основные результаты. Были определены зависимости высоты барьера и коэффициента идеальности от времени и температуры отжига. Показано, что применение ионной очистки в совокупности с отжигом позволяет получать большую высоту барьера (0,83 эВ) и меньший коэффициент идеальности (1,08) по сравнению с использованием только жидкостной обработки поверхности. Практическая значимость. Полученные результаты могут быть полезны для совершенствования технологии формирования барьеров Шоттки на основе InAlAs.

In this work, Au/Pt/Ti/Pt/i(n)-In0.52Al0.48As(001) mesa Schottky barriers formed after ion and liquid treatment of the InAlAs surface, followed by annealing at temperatures of 300, 350 and 400 C durations up to 16 min were studied. Aim of study is to establish the effect of preliminary ion treatment of the InAlAs surface and annealing on the parameters (barrier height and ideality factor) of Pt/n-InAlAs Schottky barriers. Method. The parameters were calculated by analyzing the current-voltage characteristics within the framework of thermionic emission theory. Main results. The dependences of the barrier height and ideality factor on annealing time were determined. It has been shown that the use of ion etching in combination with annealing makes it possible to obtain a higher barrier height (0.83 eV) and a lower ideality factor (1.08) compared to using only liquid surface treatment. Practical significance. The results obtained can be useful for improving the technology for the formation of Schottky barriers based on InAlAs.