Детальная информация

Предмет исследования. Альтернативная подложка для роста тройного соединения кадмий-ртуть-теллур, состоящая из кремния с нанесёнными на него слоями CdTe и ZnTe. Цель работы. Построение модели шероховатой поверхности плёнок CdTe для создания методики контроля качества растущих структур. Метод. В качестве методик измерения шероховатости необходимы неразрушающие методы, обладающие достаточным разрешением. Таким условиям удовлетворяют оптические методы исследований. В данный работе были использованы методы эллипсометрии и интерференционной профилометрии. Основные результаты. Исследована шероховатость плёнок CdTe методами эллипсометрии и интерференционной профилометрии. Показано, что эти два метода прекрасно дополняют друг друга и дают более полную картину профиля поверхности, чем каждый по отдельности. Построена двухмасштабная модель шероховатой поверхности буферных слоёв CdTe, которая представляет собой слабо волнистую поверхность с наложенным на неё мелкомасштабным рельефом. Показано, что на эллипсометрические измерения оказывает влияние именно мелкомасштабный рельеф. Это использовано для разработки методики контроля процесса эпитаксиального роста буферных слоёв. Практическая значимость. Полученные в работе результаты исследования шероховатости поверхности плёнок CdTe служат основой для разработки методов контроля параметров слоёв CdTe, пригодных для выращивания высококачественных фоточувствительных структур.

The subject of study is an alternative substrate for the growth of a ternary compound mercury-cadmium-telluride consisting of silicon with CdTe and ZnTe layers deposited on it. The aim of study is the construction of a model of the rough surface of CdTe films to create a technique for quality control of growing structures. Method. Non-destructive methods with sufficient resolution are required as roughness measurement techniques. These conditions are satisfied by optical research methods. In this work, ellipsometry and interference profilometry were used. Main results. The roughness of CdTe films was studied using ellipsometry and interference profilometry. It is shown that these two methods perfectly complement each other and provide more complete picture of the profile surface than each one separately. A two-scale model of the rough surface of CdTe buffer layers representing a slightly wavy surface with a small-scale relief superimposed on it has been constructed. It is shown that it is the small-scale relief that affects the ellipsometric measurements. This was used to develop a technique for controlling the process of epitaxial growth of buffer layers. Practical significance. The results of studying the surface roughness of CdTe films obtained in this work serve as the basis for the development of methods for controlling the parameters of CdTe layers suitable for growing high-quality photosensitive structures.