Детальная информация

Предмет исследования. Эпитаксиальные пленки твердых растворов Hg[0,7]Cd[0,3]Te, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированные мышьяком, для получения дырочного типа проводимости с целью формирования электронно-дырочных переходов для изготовления фотоприемных структур инфракрасного диапазона. Цель работы. Определение видов и характеристик дефектов, формирующихся при легировании мышьяком эпитаксиальных пленок твердых растворов Hg[0,7]Cd[0,3]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и установление влияния легирования на разупорядочение твердого раствора. Методы. Эллипсометрия, оптическое пропускание, фотолюминесценция, фотоотражение. Основные результаты. В отношении объема и поверхности пленок показано высокое исходное качество материала и его дальнейшее улучшение в результате двухстадийного активационного термического отжига. Установлен факт активации мышьяка с формированием мелких акцепторных уровней (глубиной 7-8 мэВ) в результате проведения отжига. Зафиксировано отсутствие побочных дефектов в результате введения мышьяка в исходные пленки и в ходе отжига. Практическая значимость. Показана эффективность легирования эпитаксиальных пленок твердых растворов Hg[0,7]Cd[0,3]Te мышьяком как акцепторной примесью для создания слоев с дырочной проводимостью при изготовлении фотодиодных структур.

Subject of study. Epitaxial films of Hg[0.7]Cd[0.3]Te solid solutions grown by molecular beam epitaxy and doped with arsenic to obtain hole-type conductivity in order to form p-n junctions for the manufacture of photodetecting structures in the infrared range. Aim of study. Determination of the types and characteristics of defects formed during arsenic doping of epitaxial films of Hg[0.7]Cd[0.3]Te solid solutions grown by molecular beam epitaxy, and establishing the effect of doping on the disorder of the solid solution. Main results. With regard to the volume and the surface of the films, the high quality of the as-grown material and its further improvement as a result of two-stage activation thermal annealing are shown. The fact of activation of arsenic with the formation of shallow (7-8 meV) acceptor levels as a result of annealing has been established. The absence of side defects with the introduction of arsenic into the films during the growth and during the annealing was recorded. Practical significance. The effectiveness of doping epitaxial films of Hg[0.7]Cd[0.3]Te solid solutions with arsenic as an acceptor impurity for creating layers with hole conductivity in the process of manufacturing of photodiode structures has been demonstrated.