Детальная информация
Предмет исследования. Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры, изготовленные с использованием комбинированного метода спекания и молекулярно-пучковой эпитаксии. Цель работы. Определение значений фактора уширения (alpha-фактора) спектральной линии одномодовых вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,55 мкм на основе напряжённых квантовых ям InGaAs/InGaAlAs, изготовленных с использованием комбинированного метода спекания и молекулярно-пучковой эпитаксии. Метод. Оценка я (alpha-фактора по результатам прямых измерений ширины спектральной линии сканирующим интерферометром Фабри-Перо и по результатам малосигнального частотного анализа и определению сдвига резонансной длины волны в спектрах спонтанного излучения при изменении концентрации носителей заряда. Основные результаты. Показано, что увеличение фактора инверсной заселённости или времени жизни носителей заряда ведёт к снижению величины я (alpha-фактора для вертикально-излучающих лазеров, изготовленных с использованием комбинированного метода спекания и молекулярно-пучковой эпитаксии. Для исследуемых лазеров диапазон значений alpha-фактора лежит в диапазоне 3-4,5 в зависимости от времени жизни фотонов в резонаторе. Практическая значимость. Полученные результаты позволяют связать время жизни фотонов в резонаторе с alpha-фактором вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1,55 мкм, что важно при проектировании как газовых сенсоров, так и высокоскоростных оптических приёмопередатчиков на их основе.
Subject of study. Semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers, fabricated using a combined wafer-fusion and molecular beam epitaxy technique. Aim of study. Estimation of the alpha-factor values of the vertical-cavity surface-emitting lasers under study. Method. Estimations of the alpha-factor were done by using the direct measurements of the laser emission linewidth by scanning Fabry-Perot interferometer and based on the results of small-signal frequency analysis and determination of the shift of the resonant wavelength in the spectra of spontaneous emission when the concentration of charge carriers changes. Main results. An increase in the inverse population factor or charge carrier lifetime leads to a decrease of the alpha-factor for wafer-fused vertical-cavity surface-emitting lasers. For, the values of the alpha-factor of 3-4.5 for the studied lasers was obtained, depending on the photon lifetime. Practical significance. The obtained results make it possible to relate the photon lifetime in the laser cavity with the alpha-factor of 1.55 mum vertical-cavity surface-emitting lasers, which is important for the development of gas sensors as well as high-speed optical transceivers based on such lasers.
Количество обращений: 8
За последние 30 дней: 0
