Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Содержит
- Волков, Р. Л. Идентификация структуры нано-размерных слоев многослойных гетерокомпозиций методами просвечивающей электронной микроскопии = Multilayered nanoscale heterocompositions structure study using transmission electron microscopy / Р. Л. Волков, Н. И. Боргардт. — 1 файл (1,33 Мб). — (Фундаментальные исследования). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-711-726. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 711-726. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172114>.
- Ашхотов, О. Г. Резистивные свойства конструкционных стекол микроканальных пластин = Resistive properties of structural glasses of microchannel plates / О. Г. Ашхотов, И. Б. Ашхотова, Т. Т. Магкоев. — 1 файл (423 Кб). — (Материалы электроники). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-727-733. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 727-733. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172119>.
- Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний = Electrical transport in porous Si-Ge/c-Si structures formed by electrochemical deposition of germanium into porous silicon / Д. Л. Горошко, И. М. Гаврилин, А. А. Дронов [и др.]. — 1 файл (698 Кб). — (Материалы электроники). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-734-744. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 734-744. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172123>.
- Управление составом тонких пленок Mo-Si-N-O при реактивном магнетронном распылении = Composition control of Mo-Si-N-O thin films during reactive magnetron sputtering / Д. Г. Громов, С. А. Гаврилов, Е. А. Лебедев [и др.]. — 1 файл (973 Кб). — (Материалы электроники). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-745-761. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 745-761. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172126>.
- Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур = Research and development of the deep anisotropic silicon plasma etching process with reduced sidewall roughness of the structures / А. А. Голишников, Н. А. Дюжев, В. В. Парамонов [и др.]. — 1 файл (641 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-762-772. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 762-772. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172133>.
- Исследования факторов, влияющих на сопротивление контактов в термоэлементах = Research of factors impacting contact resistance in thermoelements / Е. П. Корчагин, Е. В. Нагрешников, М. Ю. Штерн [и др.]. — 1 файл (508 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-773-783. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 773-783. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172136>.
- Соболев, В. А. Разработка RTL-модели генератора псевдослучайных чисел на основе регистров сдвига с нелинейной обратной связью в каскаде Голлмана = Development of an RTL model of a pseudorandom number generator based on nonlinear feedback shift registers in a Gollmann cascade / В. А. Соболев, В. В. Лосев. — 1 файл (736 Кб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-784-793. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 784-793. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172138>.
- Влияние потерь в соединениях при измерении коэффициента усиления и коэффициента шума на анализаторе спектра = Influence of cable loss on gain and noise figure measured using spectrum analyzer / Т. Ю. Крупкина, В. В. Лосев, С. Б. Беневоленский [и др.]. — 1 файл (454 Кб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-794-801. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 794-801. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172141>.
- Методика оценки S-параметров высокоскоростных путей передачи сигналов в корпусах микросхем = Methodology for estimating S-parameters of high-speed signal transmission paths in chip packages / А. В. Раков, И. В. Шевцов, О. В. Борин [и др.]. — 1 файл (1,24 Мб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-802-813. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 802-813. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172142>.
- Высокоскоростной перестраиваемый КМОП-усилитель-ограничитель для приемника сигнала оптической линии = High-speed tunable CMOS limiter amplifier for optical line signal receive / А. В. Раков, И. В. Шевцов, О. В. Борин [и др.]. — 1 файл (1,39 Мб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-814-825. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 814-825. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172143>.
- Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм = Features of TCAD- and SPICE simulation of a charged particle impact into a 6T SRAM cell manufactured using CMOS 28nm technology node / К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов [и др.]. — 1 файл (611 Кб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-826-837. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 826-837. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172144>.
- Ефанов, Д. В. Самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету. 2. Моделирование работы цифровых устройств при неисправностях = Self-dual fault-tolerant structures with calculations checking by parity code. 2. Modeling the operation of digital devices in case of faults / Д. В. Ефанов, Т. С. Погодина. — 1 файл (1,35 Мб). — (Информационно-коммуникационные технологии). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-838-853. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 838-853. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Продолжение. Начало: № 5. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172146>.
Статистика использования
Количество обращений: 9
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |