Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
Представлены результаты численного моделирования оптических свойств одномерного (1D) фотонного кристалла с дефектом на основе слоев полупроводник-диэлектрик в ближнем ИК диапазоне. При моделировании использовались слои кремния и диоксида кремния с оптической толщиной 3lambda/4, lambda/4 и 10lambda/4. Изучено влияние угла падения излучения на спектральное положение полосы пропускания дефекта. Показано, что чувствительность к углу поворота лежит в пределах 6-20 nm/deg и 1.7-5.5 dB/deg в зависимости от геометрии датчика и метода измерений. Это делает данные фотонные кристаллы перспективными для использования в датчиках угла поворота в качестве чувствительного элемента.
Входит в состав
Статистика использования
Количество обращений: 15
За последние 30 дней: 2 Подробная статистика |