Детальная информация

Название: Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению // Оптика и спектроскопия. – 2023. – Т. 131, № 11. — С. 1461-1463
Авторы: Сергеев В. А.; Фролов И. В.; Казанков А. А.
Выходные сведения: 2023
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; высокочастотные транзисторы; сверхвысокочастотные транзисторы; гетеробиполярные транзисторы; биполярные транзисторы; рекомбинационное излучение; распределение плотности тока; распределение температуры
УДК: 621.382
ББК: 32.852
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
DOI: 10.61011/OS.2023.11.57001.5050-23
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно: Новинка
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\72478

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

Исследованы параметры рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации.

Статистика использования

stat Количество обращений: 3
За последние 30 дней: 3
Подробная статистика