Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
Исследованы фотоприемники на основе диодной гетероструктуры с фоточувствительной областью из твердого раствора InAsSb[x] (x = 0.38) с длинноволновой границей фоточувствительности lambda[0.1] около 10 mum (296 K). Исследованы зависимости плотности темновых токов и обнаружительной способности в интервале температур 200-425 K. Показано, что экспериментальные образцы характеризуются значениями плотности темновых токов около 500 А/сm{2} при комнатной температуре, обнаружительной способностью 1.2*10{9} и 5*10{9} сmHz{1/2}W{-1} при комнатной температуре и 250 K соответственно и диффузионным механизмом токопротекания в интервале температур 200-350 K.
Входит в состав
Статистика использования
Количество обращений: 13
За последние 30 дней: 1 Подробная статистика |