Детальная информация

Название TCAD-моделирование транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 4. — С. 489-503
Авторы Максименко Ю. Н.; Петросянц К. О.; Силкин Д. С.; Грабежова В. К.
Выходные сведения 2024
Коллекция Общая коллекция
Тематика Радиоэлектроника; Полупроводниковые приборы; транзисторы; моделирование транзисторов; TCAD-моделирование; статическая индукциия; физико-математические модели; сопротивление транзисторов; электрические характеристики; transistors; transistor simulation; TCAD simulation; static induction; physical-mathematical models; resistance of transistors; electrical characteristics
УДК 621.382
ББК 32.852
Тип документа Статья, доклад
Тип файла Другой
Язык Русский
DOI 10.24151/1561-5405-2024-29-4-489-503
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно Новинка
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\73752
Дата создания записи 09.09.2024

Разрешенные действия

Посмотреть

Мощный высоковольтный транзистор со статической индукцией КП926 способен работать как в полевом, так и в биполярном режимах одновременно. Такой режим работы обеспечивает высокие ключевые характеристики. Однако анализ конструкции транзистора КП926 показал, что она далеко не оптимальна. В работе для определения оптимальных конструктивных и электрофизических параметров прибора предложена физико-математическая TCAD-модель транзистора со статической индукцией. С помощью данной модели проведен анализ влияния конструктивных и электрофизических параметров на основные электрические характеристики транзистора типа КП926 при работе в биполярном режиме. Определены оптимальные значения данных параметров, которые позволят при их реализации улучшить более чем в два раза такие основные электрические характеристики транзистора, как коэффициент усиления по току, сопротивление канала в открытом состоянии, быстродействие.

The high-power high-voltage static induction transistor KP926 is capable of operating in both field and bipolar modes simultaneously. This operation mode provides high key characteristics. However, an analysis of the KP926 transistor design showed that it is far from optimal. In this work, to determine the optimal design and physical parameters of the device, a physical and mathematical TCAD model of a static induction transistor is proposed. Using this model, the analysis was carried out of design and physical parameters effect on the basic electrical performance of a KP926 type transistor when operating in bipolar mode. Optimal values of these parameters have been determined that will allow, when implemented, more than twofold improvement of basic electrical performance of the transistor (current gain, channel opened impedance, operational speed).

Количество обращений: 8 
За последние 30 дней: 4

Подробная статистика