Детальная информация

Приборно-технологическое моделирование для оптимизации характеристик МОП-транзистора путем симуляции маршрута его изготовления и вариации параметров технологических процессов позволяет определить оптимальные параметры технологических процессов, а также может использоваться для оптимизации конструкции транзистора и улучшения его электрофизических характеристик. Оптимизация осуществляется на этапе разработки технологии. От правильно построенной модели и, как следствие, конечных результатов оптимизации будут зависеть характеристики ИС. В работе в результате процедуры оптимизации определены входные (технологические) параметры выбранного технологического узла и выходные значения характеристик прибора. Рассмотрены ключевые факторы, влияющие на быстродействие МОП-транзистора, по которым формируется расчетный проект. Проведено моделирование n-канального МОП-транзистора с различными значениями параметров дозы и энергии ионов технологической операции ионной имплантации для корректировки порогового напряжения. Получены оптимизированные электрофизические параметры n-канального МОП-транзистора, удовлетворяющие следующим критериям оптимизации: при номинале порогового напряжения (0,85 - 0,05) В определены его оптимальные значения по крутизне, токам насыщения и утечки.

In order to get MOSFET characteristics optimized device and process simulation could be done by means of its process flow parameters variation. It also allows determining the optimal technological process parameters and may be used to optimize the transistor design and to improve its electro-physical characteristics. As a rule such an optimization takes place at the earliest stages of technology development. The IC characteristics will depend on the correctly built model and, as a consequence, on final results of optimization. In this work, as a result of optimization procedure the input (process) parameters of selected process unit. Output values of device characteristics are determined as well. The key factors affecting the performance of the MOSFET, on which the computational design is formed, are considered. The simulation of n-channel MOSFET with different values of dose and ion energy parameters of the ion implantation process operation was performed for threshold voltage correction. The optimized physical parameters of n-channel MOSFET were obtained matching the following criteria: at a certain threshold voltage rating of (0.85 - 0.05) V the optimal values in terms of transconductance, saturation current and leakage current have been determined.