Детальная информация
| Название | Влияние допирования ионами Ce{3+} на центры окраски в кристалле KY[3]F[10], индуцированные рентгеновским излучением // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 8. — С. 831-837 |
|---|---|
| Авторы | Наумов А. К. ; Целищева Е. Ю. ; Целищев Д. И. ; Аглямов Р. Д. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика ; Оптические свойства твердых тел ; кристаллы ; центры окраски в кристаллах ; допирование ионами ; рентгеновское излучение ; индуцирование рентгеновским излучением ; оптические спектры пропускания ; диаграммы энергетических состояний ; фторидные кристаллы |
| УДК | 539.21:535 |
| ББК | 22.374 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.61011/OS.2025.08.61509.5882-24 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\77456 |
| Дата создания записи | 20.11.2025 |
Представлены результаты исследований оптических свойств центров окраски, образующихся при рентгеновском облучении, в номинально чистом кристалле KY[3]F[10] и допированном ионами Ce{3+}, определены типы и постоянные времена их эволюции. Рассмотрено влияние на эволюцию центров окраски допирования кристалла ионами Ce{3+}. Проведено сравнение параметров центров окраски в допированном кристалле и номинально чистом. Индуцированные рентгеновским излучением центры окраски определены в номинально чистом кристалле как центры окраски F- и F[2]-типов, а в допированном - F-, F[2]- и F[A]-типов. В кристалле KY[3]F[10], допированном ионами Ce{3+}, времена рекомбинации свободных носителей заряда, обусловленных центрами окраски F-типа, существенно отличаются от времен рекомбинации зарядов, обусловленных этими типами центров окраски в номинально чистом кристалле. В допированном кристалле (в сравнении с номинально чистым) максимумы полос поглощения смещаются в коротковолновую область.
Количество обращений: 59
За последние 30 дней: 10
