Детальная информация
| Название | Эффект Фарадея в трехпериодических бигиротропных фотонных кристаллах // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 8. — С. 860-873 |
|---|---|
| Авторы | Дадоенкова Н. Н. ; Глухов И. А. ; Паняев И. С. ; Санников Д. Г. ; Дадоенкова Ю. С. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика ; Оптические свойства твердых тел ; фотонные кристаллы ; бигиротропные кристаллы ; трехпериодические кристаллы ; эффект Фарадея ; Фарадея эффект ; магнитооптические эффекты ; запрещенные фотонные зоны ; фотонно-кристаллические структуры |
| УДК | 539.21:535 |
| ББК | 22.374 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.61011/OS.2025.08.61513.7412-25 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\77465 |
| Дата создания записи | 20.11.2025 |
Теоретически исследован магнитооптический эффект Фарадея в одномерных трехпериодических фотонно-кристаллических структурах на основе диэлектриков (SiO[2], TiO[2]) и ферритов-гранатов (YIG, Bi:YIG), образующих сверхъячейки вида [(ab){N}(cd){M}]. Рассмотрена полярная магнитооптическая конфигурация, при которой векторы намагниченности магнитных слоев фотонных кристаллов ортогональны границам слоев, а электромагнитная волна, распространяющаяся в фотонно-кристаллической структуре, имеет составляющую волнового вектора вдоль направления векторов намагниченности. С использованием метода матриц (4 умножить на 4) получены частотно-угловые спектры прохождения плоских электромагнитных волн сквозь данные фотонные кристаллы. Исследованы положение и структура полос пропускания в спектрах запрещенных фотонных зон, зависимости углов фарадеевского вращения от частоты и угла падения электромагнитной волны для фотонных кристаллов при N=3, M=5 и K=7 (оптимальное количество периодов) при различных толщинах магнитных слоев. Показано, что в трехпериодических фотонных кристаллах возможно совмещение высоких значений коэффициентов пропускания и углов фарадеевского вращения, что делает данные структуры перспективными для различных технических приложений.
Количество обращений: 50
За последние 30 дней: 12