Детальная информация
| Название | Определение оптимальной пространственной ориентации фоторефрактивного кристалла GaAs при встречном четырехволновом взаимодействии // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 11. — С. 1185-1194 |
|---|---|
| Авторы | Навныко В. Н. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Физика ; Геометрическая оптика. Оптические приборы ; фоторефрактивные кристаллы ; четырехволновое взаимодействие ; пространственная ориентация кристаллов ; коэффициент отражения ; уравнения связанных волн (физика) ; фоторефрактивные полупроводники ; голографические решетки |
| УДК | 535.31 |
| ББК | 22.342 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.61011/OS.2025.11.62168.7524-25 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\78305 |
| Дата создания записи | 24.02.2026 |
Теоретически исследована зависимость коэффициента отражения при встречном четырехволновом взаимодействии в фоторефрактивном полупроводнике GaAs от его пространственной ориентации. Для расчетов использовались уравнения связанных волн, при составлении которых допускалось, что в кристалле формируются вторичные комбинированные голографические решетки с фазово-амплитудной структурой. В теоретической модели учитывался совместный вклад линейного электрооптического, фотоупругого, обратного пьезоэлектрического эффектов, а также естественное поглощение регистрирующей среды. Установлено, что при использовании полупроводника GaAs максимальная эффективность дифракции при встречном четырехволновом взаимодействии достигается в случае, когда нормаль к плоскости среза кристалла ориентирована вдоль одного из направлений <234>. В случае, когда нормаль к плоскости среза направлена вдоль <112> и <111>, коэффициент отражения может достигать соответственно 90% и 80% от максимально возможной величины.
Количество обращений: 32
За последние 30 дней: 32
