Детальная информация

Представлены результаты влияния пошагового семикратного облучения ионами аргона с энергией 53 MeV флюенсом 1*1010 сm{-2} (общий флюенс 7*1010 сm{-2}) на структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых Cr/4H-SiC-фотоприемников. Показано, что особенности спектральных характеристик в диапазоне длин волн 200-400 nm определяются геттерированием простых радиационных дефектов вакансионной природы кластерными образованиями в 4H-SiC. Подтвержден циклический характер эффекта геттерирования при последовательном семикратном облучении Cr/4H-SiC-фотодетекторов ионами аргона флюенсом 1*1010 сm{-2}, впервые наблюдаемый при протонном облучении. Для концентрации нескомпенсированных доноров (1-3)*1015 сm{-3} в эпитаксиальном слое 4H-SiC, выращенного методом химического осаждения из газовой фазы, определен флюенс ионов аргона, приводящий к деградации фотодетектора Cr/4H-SiC, составляющий 7*1010 сm{-2}.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 134, № 1, 2026. — (15 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=89041705>.