Детальная информация
| Название | Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Ч. 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. — 3-е изд. |
|---|---|
| Авторы | Королёв М. А.; Крупкина Т. Ю.; Путря М. Г.; Шевяков В. И. |
| Выходные сведения | Москва: Лаборатория знаний, 2015 |
| Коллекция | ЭБС "Айбукс.ру/ibooks.ru"; Общая коллекция |
| Тематика | Микроэлектронные схемы интегральные — Математическое моделирование |
| УДК | 621.3.049.77:519.876.5 |
| Тип документа | Учебник |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\IBOOK\books\350103 |
| Дата создания записи | 27.07.2020 |
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.
Количество обращений: 25
За последние 30 дней: 1
