Детальная информация
Название | Моделирование 3D наносхемотехники. — 2-е изд. |
---|---|
Авторы | Трубочкина Н. К. |
Выходные сведения | Москва: Лаборатория знаний, 2015 |
Коллекция | ЭБС "Айбукс.ру/ibooks.ru"; Общая коллекция |
Тематика | Вычислительные системы; Микроэлектроника |
УДК | 004.7; 621.38.049.77 |
Тип документа | Другой |
Тип файла | Другой |
Язык | Русский |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Ключ записи | RU\IBOOK\books\350110 |
Дата создания записи | 27.07.2020 |
В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети».
Количество обращений: 19
За последние 30 дней: 1