Детальная информация
| Название | Физические основы роста кристаллов. Ч.1: учебное пособие. — Физические основы роста кристаллов. Ч.1, 2030-11-30 |
|---|---|
| Авторы | Каплунов, И. А. ; Иванова, А. И. ; Третьяков, С. А. |
| Выходные сведения | Тверь: Тверской государственный университет, 2023 |
| Коллекция | ЭБС "PROFобразование" ; Общая коллекция |
| Тематика | физические основы ; рост ; кристалл |
| УДК | 538.9 |
| ББК | 22.37 |
| Тип документа | Учебник |
| Язык | Русский |
| Права доступа | Лицензия до 30.11.2030; Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Дополнительно | Новинка |
| Ключ записи | RU2fPROFSPO2f136333 |
| Дата создания записи | 10.09.2026 |
Рассмотрены основные теоретические и практические вопросы роста кристаллов. Описаны структурные и фазовые особенности кристаллических материалов, рассмотрено влияние дефектов на свойства кристаллов, представлены методы управления структурой и свойствами материалов, физические и технологические аспекты процессов выращивания монокристаллов. Пособие предназначено для студентов бакалавриата и магистратуры направлений 03.03.03, 03.04.03 Радиофизика профиль «Физика и технология радиоэлектронных приборов и устройств», 03.03.02, 03.04.02 Физика профиль «Физика конденсированного состояния вещества», а также для аспирантов, специализирующихся в области физики конденсированного состояния вещества.
...
