Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
Полупроводниковые 2D-наноструктуры являются новой платформой для создания современных оптоэлектронных устройств. Созданы слоистые 2D-наноструктуры PbSe-MoS[2], в которых наблюдается эффективный фотоиндуцированный перенос заряда от нанопластин (НП) PbSe к MoS[2]. При осаждении НП PbSe с короткими органическими лигандами на тонкий слой НП MoS[2] наблюдается уменьшение интенсивности фотолюминесценции НП PbSe и сокращение среднего времени затухания фотолюминесценции. При освещении слоистой 2D-наноструктуры PbSe-MoS[2] ИК излучением появляется фототок, что свидетельствует о вкладе НП PbSe в электрический отклик системы. Ультратонкие слои дихалькогенидов переходных металлов, сенсибилизированные наноструктурами на основе халькогенидов свинца, могут быть использованы в фотодетекторах с расширенной в ближний ИК диапазон областью спектральной чувствительности.
Входит в состав
Статистика использования
|
Количество обращений: 60
За последние 30 дней: 34 Подробная статистика |