Полупроводниковые 2D-наноструктуры являются новой платформой для создания современных оптоэлектронных устройств. Созданы слоистые 2D-наноструктуры PbSe-MoS[2], в которых наблюдается эффективный фотоиндуцированный перенос заряда от нанопластин (НП) PbSe к MoS[2]. При осаждении НП PbSe с короткими органическими лигандами на тонкий слой НП MoS[2] наблюдается уменьшение интенсивности фотолюминесценции НП PbSe и сокращение среднего времени затухания фотолюминесценции. При освещении слоистой 2D-наноструктуры PbSe-MoS[2] ИК излучением появляется фототок, что свидетельствует о вкладе НП PbSe в электрический отклик системы. Ультратонкие слои дихалькогенидов переходных металлов, сенсибилизированные наноструктурами на основе халькогенидов свинца, могут быть использованы в фотодетекторах с расширенной в ближний ИК диапазон областью спектральной чувствительности.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. — Электрон. журнал. — Периодичность: 12 раз в год. — Размещен на платформе "eLIBRARY.RU", ООО НЭБ: https://elibrary.ru/. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/title_about_new.asp?id=7925>.

Оптика и спектроскопия. — Санкт-Петербург: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, 2022 -. Т. 130, № 2, 2022. — (18 ст.). — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/contents.asp?id=48007287>.