| Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Аннотация
In technological processes below 5 nm the semiconductor manufacturing companies face difficulties during fabrication of transistors with thick gate oxide. As supply voltages are not scaled respectively, it causes stress between transistor terminals, which leads to transistor aging degradation. In this work, a method is proposed for designing rail-to-rail operational amplifier with usage of only thin oxide transistors. Amplifier scheme was designed with “SAED 14nm” FinFET technology. As a result of using the proposed method the aging degradation has been reduced by protecting transistors from stress conditions. Based on the proposed design Ids variation is reduced from 22.4 to 3.9 % and threshold voltage Vth variation from 252 to 28 mV.
В технологических процессах менее 5 нм компании-производители полупроводников сталкиваются с трудностями при изготовлении транзисторов с толстым оксидом подзатвора. Поскольку напряжения питания не масштабируются соответствующим образом, это вызывает стресс между клеммами транзистора, что приводит к старению транзистора. В работе предложен метод проектирования rail-to-rail операционного усилителя с использованием только тонких оксидных транзисторов. Схема усилителя разработана с использованием 14 нм FinFET технологии SAED. В результате применения метода деградация из-за старения снижена за счет защиты транзисторов от стрессовых условий. На основе предложенной конструкции уменьшены разброс тока Ids с 22,4 до 3,9 % и разброс порогового напряжения Vth с 252 до 28 мВ.
Входит в состав
Статистика использования
|
|
Количество обращений: 13
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |