Детальная информация
| Название | Технология герметизации МЭМС на уровне пластины на базе SLID-структур, выращенных из электролитов на основе металлоорганических комплексов Cu-Sn // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2023. – Т. 28, № 4. — С. 461-470 |
|---|---|
| Авторы | Грабов А. Б. ; Рискин Д. Д. ; Суздальцев С. Ю. ; Обижаев Д. Ю. ; Жукова С. А. |
| Выходные сведения | 2023 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Электроника в целом ; МЭМС ; микроэлектромеханические системы ; герметизация МЭМС ; SLID-структуры ; электролиты ; металлоорганические комплексы ; корпусирование на пластине ; MEMS ; microelectromechanical systems ; sealing MEMS ; SLID structure ; electrolytes ; organometallic complexes ; casing on plate |
| УДК | 621.38 |
| ББК | 32.85 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.24151/1561-5405-2023-28-4-461-470 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\71715 |
| Дата создания записи | 12.09.2023 |
В настоящее время для герметизации МЭМС- и НЭМС-приборов используется технология корпусирования на пластине. Наиболее перспективным методом герметизации, применяемым в данной технологии, является твердотельно-жидкостное взаимодиффузионное соединение (Solid-Liquid Inter-Diffusion, SLID). В работе рассмотрен технологический процесс герметизации МЭМС-структур на уровне пластины. Предложен метод гальванического формирования SLID-структуры Cu-Sn пониженной шероховатости из металлоорганических комплексных соединений - глицината меди и метансульфоната олова. Проведена экспериментальная отработка температурного профиля процесса герметизации МЭМС-структур. Результаты исследования герметизированных кристаллов МЭМС получены с помощью сканирующей электронной микроскопии и сканирующей акустической микроскопии. Отработан технологический режим соединения пластин, обеспечивающий выход годных кристаллов более 80 %.
Nowadays, wafer-level packaging technology is used for sealing MEMS- and NEMS-based devices. The most advanced sealing method in this technology is solid-liquid inter-diffusion (SLID). In this work, procedure specification of MEMS wafer-level sealing is described. A method of galvanic formation of low roughness Cu-Sn SLID structures from organometallic complexes - copper glycinate and tin methanesulphonate - is proposed. An experimental testing of temperature profile of MEMS structures sealing process was conducted. The results of sealed MEMS crystals studies were obtained by scanning electronic microscopy and scanning acoustic microscopy. The technological mode of wafer bonding that provides the 80 % dice yield has been worked out.
Количество обращений: 505
За последние 30 дней: 3
