Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
Предложен метод раздельного определения концентраций "легких" и "тяжелых" электронов в n-GaSb при T=295 K на основе анализа спектров отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия. Построены расчетные градуировочные зависимости, позволяющие определять концентрации "легких" и "тяжелых" электронов по значению характеристического волнового числа, отвечающего частоте высокочастотной смешанной плазмон-фононной моды. Проведены измерения спектров отражения серии образцов n-GaSb с различной проводимостью при комнатной температуре и определены концентрации "легких" и "тяжелых" электронов. На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре. Путем сопоставления оптических и холловских данных определены значения отношения подвижностей "легких" и "тяжелых" электронов (параметр b). Такой способ определения значения параметра b использован впервые.
Входит в состав
Статистика использования
|
Количество обращений: 18
За последние 30 дней: 2 Подробная статистика |