Детальная информация
Название | Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства // Оптика и спектроскопия. – 2023. – С. 1112-1117 |
---|---|
Авторы | Мельниченко И. А.; Крыжановская Н. В.; Иванов К. А.; Надточий А. М.; Махов И. С.; Козодаев М. Г.; Хакимов Р. Р.; Маркеев А. М.; Воробьев А. А.; Можаров А. М.; Гусева Ю. А.; Лихачев А. И.; Колодезный Е. С.; Жуков А. Е. |
Выходные сведения | 2023 |
Коллекция | Общая коллекция |
Тематика | Физика; Физическая оптика; мезаструктуры; цилиндрические мезаструктуры; пассивация поверхностей; оптические свойства; квантовые ямы; атомно-слоевое осаждение; водородная плазма; фотолюминесценция |
УДК | 535.2/3 |
ББК | 22.343 |
Тип документа | Статья, доклад |
Тип файла | Другой |
Язык | Русский |
DOI | 10.61011/OS.2023.08.56303.4894-23 |
Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\72208 |
Дата создания записи | 14.12.2023 |
Исследованы оптические свойства цилиндрических мезаструктур на основе GaAs до и после пассивации, выполненной с применением обработки структур в водородной плазме с последующим атомно-слоевым осаждением слоя Al[2]O[3]. В качестве светоизлучающей области мезаструктур использованы квантовая яма In[0.2]Ga[0.8]As/GaAs и сверхрешетка GaAs/AlAs. Диаметр мез изменялся от 3 до 20 мкм. В результате пассивации получено 8-ми кратное увеличение интенсивности фотолюминесценции мез диаметром 9 мкм при комнатной температуре, а исследования фотолюминесценции таких мезаструктур с разрешением по времени продемонстрировали увеличение времени жизни носителей заряда с 0.13 до 0.9 нс.
Количество обращений: 25
За последние 30 дней: 3