Детальная информация

При проектировании выполненных на высокоомном кремнии p-i-n-диодных структур, чувствительных к посторонним примесям, требуется учитывать особенности технологических сред, в которых они обрабатываются, и их последующее влияние на основные характеристики изделия. Для исследования технологических примесей, которые диффундируют с поверхности в объем p-i-n-диодной структуры во время процесса ее изготовления, применяется метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней, характеризующийся высокой чувствительностью, возможностью определения природы примеси и др. В работе проведено исследование p-i-n-диодных структур, выполненных на подложках высокоомного кремния, методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней. С использованием спектроскопии показано наличие в запрещенной зоне кремния глубоких донорных уровней, обусловленных присутствием серы в теле p-i-n-диода. Установлено, что наличие примесной серы приводит к нежелательному снижению удельного объемного сопротивления подложки и ухудшению характеристик p-i-n-диода. Результаты исследования могут быть использованы при изготовлении p-i-n-диодов и других полупроводниковых структур на высокоомном кремнии, чувствительных к посторонним примесям.

During the design of foreign impurity-sensitive p-i-n-diode structures made on high-resistivity silicon it is required to account the features of processing media in which they are treated and their subsequent effect on basic performance of product. The deep-level transient spectroscopy is used to study process impurities diffusing from surface into p-i-n-diodes structure contents during its manufacturing, this method is characterized by high sensitivity, the possibility to define the nature of impurity etc. In this work, p-i-n-diodes structures made on high-resistivity silicon substrates were studied by deep-level transient spectroscopy. The results of the spectroscopic study showed the occurrence of deep donor levels in the silicon band gap due to the presence of sulfur in the body of p-i-n-diodes. It has been established that the occurrence of sulfur impurity leads to an undesirable decrease in the specific volume resistance of the substrate and to p-i-n-diode deterioration. The results of the study can be used in the manufacture of p-i-n-diodes and other foreign impurity-sensitive semiconductor structures on high-resistivity silicon.