Детальная информация
| Название | Исследование зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора от режимов работы в гигагерцовом диапазоне // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 6. — С. 763-771 |
|---|---|
| Авторы | Хлыбов А. И. ; Родионов Д. В. ; Егоркин В. И. ; Котляров Е. Ю. ; Лосев В. В. ; Чаплыгин Ю. А. |
| Выходные сведения | 2024 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Полупроводниковые приборы ; транзисторы ; GaN-НЕМТ-транзисторы ; нормально-закрытые транзисторы ; входные параметры транзисторов ; гигагерцовые диапазоны ; нитрид галлия ; двумерные электронные газы ; transistors ; GaN-NEMT transistors ; normally-closed transistors ; transistor input parameters ; gigahertz ranges ; gallium nitride ; two-dimensional electron gases |
| УДК | 621.382 |
| ББК | 32.852 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.24151/1561-5405-2024-29-6-763-771 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\74927 |
| Дата создания записи | 23.12.2024 |
В силовой электронике часто используется нормально-закрытый режим работы GaN-НЕМТ-транзистора, когда ток не течет при нулевом напряжении между затвором и истоком, а в канале ток модулируется приложением положительного смещения к электроду затвора. Измерение параметров GaN-НЕМТ-транзистора в гигагерцовом диапазоне имеет важное значение для получения физического представления о его работе, а также для разработки моделей больших и малых сигналов. В работе проведены экспериментальные исследования зависимостей входных параметров нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора при разных режимах работы в гигагерцовом диапазоне. Предложена методика определения входной индуктивности. Приведены зависимости входной емкости и входного сопротивления от напряжений на затворе и стоке транзистора в диапазоне частот 5-20 ГГц. Полученные зависимости могут применяться при построении малосигнальной модели для нормально-закрытого GaN-НЕМТ-транзистора.
Power electronics often requires normally-off operating condition of GaN HEMT when there is no current flow at zero gate-source voltage and the channel current is modulated by applying positive bias to gate terminal. Measurement of GaN HEMT parameters at the GHz band is of high importance for getting physical interpretation of its functioning, as well as for development of large-signal and small-signal models. In this work, experimental research of dependences of normally-off GaN HEMT input parameters at different operating conditions in GHz range is conducted. A procedure of line inductance measuring is proposed. The dependences of input capacitance and input resistance on gate voltage and drain voltage at the 5-20 GHz band have been given. The obtained dependences can be applied for designing small-signal model for normally-off GaN HEMT.
Количество обращений: 14
За последние 30 дней: 2
