Детальная информация
| Название | Высокочастотная модель транзистора со статической индукцией // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 6. — С. 772-786 |
|---|---|
| Авторы | Максименко Ю. Н. ; Петросянц К. О. ; Силкин Д. С. ; Грабежова В. К. |
| Выходные сведения | 2024 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Полупроводниковые приборы ; транзисторы ; транзисторы со статической индукцией ; высокочастотные модели ; физико-математические модели ; сопротивление транзисторов ; быстродействие ; высокочастотные свойства транзисторов ; transistors ; transistors with static induction ; high-frequency models ; physical-mathematical models ; transistor resistance ; performance ; high-frequency properties of transistors |
| УДК | 621.382 |
| ББК | 32.852 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Тип файла | Другой |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.24151/1561-5405-2024-29-6-772-786 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\74928 |
| Дата создания записи | 23.12.2024 |
Физико-математическая модель транзистора со статической индукцией дает возможность проводить расчет основных ВАХ и анализ конструкции приборов для статического режима при биполярном режиме работы транзистора, а также позволяет понять возможности улучшения конструкции кристалла. Однако данная модель не обеспечивает анализ работы приборов со статической индукцией на высоких частотах, без которого нельзя создать конструкцию прибора с оптимальными параметрами. В работе представлена модель приборов со статической индукцией для анализа их работы на высоких частотах. Предложены пути по улучшению конструкции кристалла, позволяющие увеличить скорость переключения более чем на порядок. С применением представленной модели проведен анализ высокочастотных свойств транзистора КП926. Установлено, что в конструкцию кристалла можно внести изменения, приводящие к увеличению рабочей частоты прибора более чем на порядок при сохранении основных ВАХ.
Physical and mathematical model of a transistor with static induction makes it possible to calculate the main current-voltage characteristics and to analyze the design of devices for static mode in bipolar operation of transistor, and also to understand the possibilities of crystal design improvement. However, this model does not allow analyzing the operation of devices with static induction at high frequencies, without which it is impossible to create a device design with optimal parameters. In this work, a model of devices with static induction for their operation analysis at high frequencies is presented. The ways of crystal design improvement allowing an increase in switching rate by more than an order of magnitude are proposed. Using the developed model, an analysis of the operation of the KP926 transistor at high frequencies was carried out. It has been established that it is possible to make changes to the crystal design that will lead to an increase in the operating frequency of the device by more than an order of magnitude while maintaining the main current-voltage characteristics.
Количество обращений: 15
За последние 30 дней: 0
