Детальная информация
| Название | Проектирование малошумящего усилителя с байпас-каналом X-диапазона частот с использованием библиотеки элементов технологического процесса 0,5 мкм GaAs-pHEMT = The design of the X-band low-noise amplifier with bypass option using 0.5 mum GaAs pHEMT process design kit // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2025. – Т. 30, № 1. — С. 64-75 |
|---|---|
| Авторы | Кулиш А. М. ; Лосев В. В. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Усилительные устройства ; малошумящие усилители ; проектирование усилителей ; усилители с байпас-каналом ; X-диапазоны частот ; GaAs-pHEMT-транзисторы ; монолитные интегральные схемы ; двухпозиционные коммутаторы ; low-noise amplifiers ; amplifier design ; bypass channel amplifiers ; X-frequency bands ; GaAs-pHEMT transistors ; monolithic integrated circuits ; two-position switches |
| УДК | 621.375 |
| ББК | 32.846 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.24151/1561-5405-2025-30-1-64-75 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\76910 |
| Дата создания записи | 24.09.2025 |
В приемопередатчиках и измерительной аппаратуре требуется дискретная регулировка коэффициента усиления, выходной и потребляемой мощности. Это может быть реализовано при использовании усилителей с байпас-каналом с заданным коэффициентом прохождения СВЧ-сигнала на выходе функционального узла. В работе представлена процедура проектирования монолитной интегральной схемы малошумящего усилителя с байпас-каналом X-диапазона частот с использованием библиотеки моделей элементов технологического процесса GA05-D-L-01, который основан на применении GaAs-pHEMT-транзисторов с длиной затвора 0,5 мкм. Описаны особенности работы монолитной интегральной схемы. При проектировании малошумящего усилителя и байпас-канала, интегрированных на одном кристалле монолитной интегральной схемы с помощью двухпозиционных коммутаторов, получены следующие результаты: в режиме "Усиление" коэффициент усиления более 20,0 дБ, минимальное значение коэффициента шума 3,0 дБ, потребляемая мощность 300 мВт, возвратные потери по входу-выходу микросхемы не более 10 дБ; в режиме "Байпас" потери в байпас-канале не более 1,5 дБ, коэффициент шума не более 1,5 дБ, возвратные потери по входу-выходу - не более 15 дБ.
In transceivers and measuring equipment, it is important to be able to discretely adjust signal gain level, output power and power consumption. It can be realized when using bypassed amplifiers, which makes it possible to have a predetermined microwave signal transmission coefficient at the output of the functional node. In this work, the design process of a X-band microwave monolithic integrated circuit of a low-noise amplifier with an integrated bypass channel using a process design kit of GA05-D-L-01 technological process, which is based on GaAs pHEMT with a gate length of 0.5 mum is presented. The operating features of a monolithic integrated circuit are described. As a result of electromagnetic modeling of the microwave monolithic integrated circuit layout the following characteristics have been obtained: in the “Gain” mode signal gain is more than 20.0 dB, minimum value of noise figure is 3.0 dB, power consumption is 300 mW, and input/output return losses are not more than 10 dB. In the “Bypass” mode signal losses are no more than 1.5 dB, noise figure is no more than 1.5 dB, and input/output return losses are not more than 15 dB.
Количество обращений: 34
За последние 30 дней: 9
