Детальная информация
Переход к нанометровым размерам требует создания принципиально новых технологических методов и оборудования с высокой разрешающей способностью. В связи с этим оптимизация процессов вакуумно-плазменного травления становится актуальной задачей. В работе рассмотрена проблема термостабилизации и фиксации подложек в установках вакуумно-плазменного травления. Описано устройство установки вакуумно-плазменного травления подложек диаметром 300 мм для проведения экспериментальных исследований. Приведена оригинальная конструкция устройства для исследований однородности температуры подложки. Проведены экспериментальные исследования однородности температуры подложки в установке вакуумно-плазменного травления, закрепленной на подложкодержателе с электростатическим прижимом, при разных параметрах плазменной обработки. Показано, что, применяя плазменные процессы и изменяя давление гелия под подложкой, можно управлять ее температурой.
Transition to nanoscale sizes requires fundamentally new methods and equipment with high-resolution capability. Thus the vacuum-plasma etching process optimization becomes a critical task. In this work, the problem of thermal stabilization and fixation of substrates in vacuum-plasma etchers is considered. A configuration of vacuum-plasma etcher of 300 mm diameter substrates for experimental studies is described. The original design of the device for studying the uniformity of the substrate temperature is provided. Experimental studies of the substrate temperature uniformity in a vacuum-plasma etcher mounted on a substrate holder with an electrostatic clamp at various plasma processing parameters were carried out. It has been demonstrated that it is possible to control the plate temperature by using plasma processes and changing the pressure of helium supplied under the plate.
Количество обращений: 42
За последние 30 дней: 13
