Детальная информация

Название Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами \InGaAs/InAlAs\ с ориентациями (100) и (111)А // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 3. — С. 221-231
Авторы Климов Е. А. ; Пушкарев С. С. ; Клочков А. Н. ; Ковалeва П. М. ; Кузнецов К. А.
Организация "Saratov Fall Meeting-2024", международная конференция
Выходные сведения 2025
Коллекция Общая коллекция
Тематика Физика ; Спектроскопия ; терагерцовое излучение ; генерация терагерцового излучения ; квантовые ямы ; псевдоморфные квантовые ямы ; молекулярно-лучевая эпитаксия ; пьезоэффекты ; фемтосекундные лазеры ; фотолюминесценция
УДК 535.33
ББК 22.344
Тип документа Статья, доклад
Язык Русский
DOI 10.61011/OS.2025.03.60236.138-24
Права доступа Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи RU\SPSTU\edoc\77262
Дата создания записи 30.10.2025

Разрешенные действия

Посмотреть

Исследовано влияние встроенного электрического поля в гетероструктурах на генерацию терагерцового (ТГц) излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами поверхности гетероструктур, представляющих собой упруго напряженные сверхрешетки \In[0.53+delta x]Ga[0.47-delta x]As/In[0.52-delta x]Al[0.48+delta x]As\, эпитаксиально выращенные на подложках InP с ориентациями (100) и (111)А. В серии образцов варьировалось значение delta x, а следовательно, и значение упругих напряжений. "Красный" сдвиг пика на спектрах фотолюминесценции подтверждает наличие встроенного электрического поля в (111)А-гетероструктурах, вызванного пьезоэффектом. Показано, что (100)-гетероструктуры генерируют ТГц сигнал приблизительно одинакового уровня (разброс значений амплитуды ТГц поля не более 30% от среднего значения) независимо от упругих напряжений, в то время как в серии (111)А-гетероструктур ТГц сигнал значительно (на 75-90%) возрастает для сильно напряженных образцов.

...