Детальная информация
| Название | Разработка технологии создания фотонных интегральных схем с кольцевыми микрорезонаторами на основе структур Si/SiO[2]/Si[3]N[4] // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 9. — С. 957-962 |
|---|---|
| Авторы | Абанин А. И. ; Рязанов Р. М. ; Голиков А. Д. ; Ковалюк В. В. ; Венедиктов И. О. ; Ан П. П. ; Шимловская Д. А. ; Кицюк Е. П. ; Косолобов С. С. ; Лазаренко П. И. ; Гольцман Г. Н. ; Светухин В. В. |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Полупроводниковые приборы ; нитрид кремния ; кольцевые микрорезонаторы ; интегральные схемы ; фотонные интегральные схемы ; оптические устройства ; оптические параметры ; высокотемпературный отжиг ; добротность микрорезонаторов |
| УДК | 621.382 |
| ББК | 32.852 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.61011/OS.2025.09.61763.8228-25 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\77966 |
| Дата создания записи | 13.01.2026 |
Развитие современных систем обработки информации ограничивается быстродействием электронных схем. Реализация высокоскоростной обработки информации следующего поколения становится крайне сложной задачей при использовании традиционной электронной компонентной базы. Одним из вариантов решения данной проблемы является переход к созданию систем на основе фотонных интегральных схем. В работе представлены результаты изготовления высокодобротных кольцевых микрорезонаторов из нитрида кремния. Для изготовления оптических устройств использовались структуры Si/SiO[2]/Si[3]N[4], сформированные с применением производственного оборудования НПК "Технологический центр". Исследованы зависимости оптических параметров структур от технологических режимов формирования нитрида кремния и применения дополнительного высокотемпературного отжига. Продемонстрированы образцы кольцевых резонаторов с добротностью >105 при радиусе кольца ~64 mum.
Количество обращений: 48
За последние 30 дней: 16