Детальная информация
| Название | Особенности измерения теплового сопротивления микросборки мощных нитрид-галлиевых НЕМТ с кремниевым MOSFET, включенных по каскодной схеме // Оптика и спектроскопия. – 2025. – Т. 133, № 10. — С. 1028-1031 |
|---|---|
| Авторы | Смирнов В. И. ; Сергеев В. А. ; Гавриков А. А. |
| Организация | "ФизикА.СПб/2025", международная конференция |
| Выходные сведения | 2025 |
| Коллекция | Общая коллекция |
| Тематика | Радиоэлектроника ; Полупроводниковые приборы ; нитрид-галлиевые транзисторы ; кремниевые транзисторы ; каскодные схемы ; GaN-транзисторы ; тепловое сопротивление ; модуляционные методы ; теплоэлектрические процессы ; вольт-амперные характеристики ; широтно-импульсная модуляция |
| УДК | 621.382 |
| ББК | 32.852 |
| Тип документа | Статья, доклад |
| Язык | Русский |
| DOI | 10.61011/OS.2025.10.61939.8037-25 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\77992 |
| Дата создания записи | 14.01.2026 |
Исследованы теплоэлектрические процессы в GaN-транзисторах с каскодной структурой, состоящей из последовательно соединенных HEMT и MOSFET. Показана возможность определения сопротивления каналов HEMT и MOSFET по результатам измерения вольт-амперных характеристик каскодной структуры в различных режимах включения и приведены оценки тепловой мощности, рассеиваемой в обоих кристаллах. Компоненты теплового сопротивления транзистора определялись с помощью аппаратно-программного комплекса, реализующего модуляционный метод измерения с разогревом объекта импульсами греющего тока с широтно-импульсной модуляцией по гармоническому закону. Полученные значения компонент теплового сопротивления хорошо согласуются с паспортными данными транзистора.
Количество обращений: 49
За последние 30 дней: 15
