Детальная информация
Название | Optoelectronic devices: III nitrides |
---|---|
Другие авторы | Razeghi M.; Henini M. |
Выходные сведения | Amsterdam [etc.]: Elsevier Ltd. (Elsevier Science), 2004 |
Коллекция | Электронные книги зарубежных издательств; Общая коллекция |
Тематика | Оптоэлектроника; Нитриды |
УДК | 621.383; 546.171.1 |
Тип документа | Другой |
Тип файла | Другой |
Язык | Английский |
Права доступа | Доступ из локальной сети ФБ СПбПУ (чтение, печать, копирование) |
Ключ записи | RU\SPSTU\edoc\52727 |
Дата создания записи | 27.04.2018 |
Tremendous progress has been made in the last few years in the growth, doping and processing technologies of the wide bandgap semiconductors. As a result, this class of materials now holds significant promis for semiconductor electronics in a broad range of applications. The principal driver for the current revival of interest in III-V Nitrides is their potential use in high power, high temperature, high frequency and optical devices resistant to radiation damage. This book provides a wide number of optoelectronic applications of III-V nitrides and covers the entire process from growth to devices and applications making it essential reading for those working in the semiconductors or microelectronics. Broad review of optoelectronic applications of III-V nitrides.
Количество обращений: 32
За последние 30 дней: 0