Детальная информация

Название: Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Ч. 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. — 3-е изд.
Авторы: Королёв М. А.; Крупкина Т. Ю.; Путря М. Г.; Шевяков В. И.
Выходные сведения: Москва: Лаборатория знаний, 2015
Коллекция: ЭБС "Айбукс.ру/ibooks.ru"; Общая коллекция
Тематика: Микроэлектронные схемы интегральные — Математическое моделирование
УДК: 621.3.049.77:519.876.5
Тип документа: Учебник
Тип файла: Другой
Язык: Русский
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Ключ записи: RU\IBOOK\books\350103

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.

Статистика использования

stat Количество обращений: 20
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика