Детальная информация

Название: Оптический контроль параметров подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния // Известия высших учебных заведений. Электроника: научно-технический журнал. – 2022. – С. 175-186
Авторы: Лучинин В. В.; Панов М. Ф.; Павлова М. В.; Рыбка Ф. Е.
Выходные сведения: 2022
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Радиоэлектроника; Электроника в целом; карбид кремния; эпитаксиальные структуры; оптический контроль; кремний; ИК-отражение; фотоны; монокристаллы; silicon carbide; epitaxial structures; optical control; silicon; IR reflection; photons; single crystals
УДК: 621.38
ББК: 32.85
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
DOI: 10.24151/1561-5405-2022-27-2-175-186
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно: Новинка
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\68451

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

Карбид кремния SiC - базовый материал современной экстремальной и силовой электроники. Характеризация подложек и многослойных эпитаксиальных композиций на основе SiC требует развития современных методов оперативного контроля. В работе продемонстрированы оптические бесконтактные неразрушающие методы контроля кинетических параметров носителей заряда, толщины слоев, качества поверхности. Использованы методики, в основе которых лежат физические процессы взаимодействия потока фотонов с монокристаллом SiC. С помощью аппроксимации ИК-спектров отражения определены значения концентрации и подвижности носителей заряда, толщины слоев в многослойных эпитаксиальных структурах, а также охарактеризовано качество обработки поверхности подложки. Полученные данные проконтролированы независимыми методами исследований. Предложенный алгоритм комбинированного использования изложенных методов обеспечивает оперативный контроль подложек и эпитаксиальных композиций с достижением воспроизводимых характеристик и функциональных параметров.

Silicon carbide SiC is the basic material of modern extreme and power electronics. Characterization of substrates and multilayer epitaxial compositions based on SiC requires the development of modern methods of operational control. In this work, optical contactless nondestructive methods for controlling the kinetic parameters of charge carriers, layer thicknesses, and surface quality are demonstrated. Methods based on physical processes of interaction between photon flux and SiC monocrystal were used. The values of the concentration and mobility of charge carriers, the layer thicknesses in multilayer epitaxial structures were determined by approximating the IR reflection spectra, and the quality of the substrate surface treatment was characterized. The data obtained have been verified by independent research methods. The proposed algorithm of outlined methods combined use ensures operation control of substrates and epitaxial composition along with reproducible behavior and function parameters obtainment.

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика