Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: Посмотреть |
Аннотация
Определены области устойчивости однородных режимов генерации в широкоапертурном лазере с насыщающимся поглотителем, в том числе в полупроводниковом лазере с вертикальным выводом излучения, в зависимости от сравнительной скорости релаксации носителей в активной и пассивной средах и от частотных расстроек рабочих переходов в этих средах с резонансной частотой излучения, с учетом его поляризационного состояния. В рамках четырехуровневой модели определены пороги возбуждения релаксационных и поляризационных колебаний.
Входит в состав
Статистика использования
|
Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |