Детальная информация

Название: Зонная структура теллурида меди Cu[1,75]Te // Инженерная физика. – 2022. – № 11. — С. 7-12
Авторы: Курбангулов А. Р.; Биккулова Н. Н.; Акманова Г. Р.; Сафаргалиев Д. И.; Цыганкова Л. В.
Выходные сведения: 2022
Коллекция: Общая коллекция
Тематика: Физика; Физика полупроводников и диэлектриков; зонные структуры; теллурид меди; плотность электронных состояний; pd-гибридизация; бесщелевые полупроводники; электрофизические свойства; халькогениды меди; zone structures; copper telluride; density of electronic states; pd hybridization; gapless semiconductors; electrophysical properties; copper chalcogenides
УДК: 537.311.33
ББК: 22.379
Тип документа: Статья, доклад
Тип файла: Другой
Язык: Русский
DOI: 10.25791/infizik.11.2022.1295
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно: Новинка
Ключ записи: RU\SPSTU\edoc\69571

Разрешенные действия: Посмотреть

Аннотация

В данной работе представлены результаты расчета зонной структуры теллурида меди Cu[1,75]Te в рамках теории функционала электронной плотности в программном пакете Quantum Espresso. Проведен сравнительный анализ полной и парциальной плотности состояний между фазой, существующей при комнатной температуре и низкотемпературной модельной фазой, рассчитанной с помощью алгоритма USPEX. Показано, что теллурид меди Cu[1,75]Te принадлежит к классу бесщелевых полупроводников.

This paper presents the results of calculating the band structure of copper telluride Cu[1,75]Te within the framework of the electron density functional theory in the Quantum Espresso software package. A comparative analysis of the total and partial density of states between the phase existing at room temperature and the low-temperature model phase calculated using the USPEX algorithm was carried out. It is shown that copper telluride Cu[1,75]Te belongs to the class of gapless semiconductors.

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика