Леонидов, Андрей Алексеевич. Исследование толстых слоев GaN, полученных методом хлорид-гидридной эпитаксии из паровой фазы [Электронный ресурс]: научный доклад: 03.06.01 - Физика и астрономия ; 03.06.01_07 - Физика полупроводников = The study of thick GaN layers obtained by hydride vapour phase epitaxy / А. А. Леонидов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; науч. рук. Ю. Г. Шретер ; консультант по нормоконтролю Н. К. Краснова. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 4,7 Мб). — Санкт-Петербург, 2018. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/6/2018/vn18-22.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/6/2018/vn18-22
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 30 дней | 8 | 0 | 7 | 0 | 15 |
| Последние 365 дней | 26 | 1 | 37 | 0 | 64 |
| За все время | 26 | 1 | 37 | 0 | 64 |