Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области = Photoelectric properties of MIS structures based on HgCdTe nBn with a superlattice in the barrier region / А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology. – 2024. – № 10. — С. 3-14. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/14608982/viewer?udb=12&page=5>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 30 дней | 0 | 0 | 0 | 10 | 10 |
| Последние 365 дней | 0 | 0 | 0 | 10 | 10 |
| За все время | 0 | 0 | 0 | 10 | 10 |