Моделирование процесса распыления карбида кремния фокусированным пучком ионов галлия = Simulation of silicon carbide sputtering by gallium focused ion beam / А. В. Румянцев, О. В. Подорожний, Р. Л. Волков, Н. И. Боргардт. — 1 файл (562 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2022-27-4-463-474. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2022. – С. 463-474. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=49396191>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 30 дней | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 365 дней | 0 | 0 | 0 | 12 | 12 |
| За все время | 0 | 0 | 0 | 21 | 21 |