Исследование структуры слоев GaAs в гетерокомпозициях GaAs/Ge/GaAs методами просвечивающей электронной микроскопии = Structural investigation of GaAs layers in GaAs/Ge/GaAs heterostructures by transmission electron microscopy / В. А. Сазонов, Н. И. Боргардт, А. С. Приходько [и др.]. — 1 файл (1,15 Мб). — (Фундаментальные исследования). — DOI 10.24151/1561-5405-2024-29-5-559-574. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2024. – Т. 29, № 5. — С. 559-574. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=72753280>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого |
|---|---|---|---|---|---|
| Вчера | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Последние 30 дней | 0 | 0 | 0 | 9 | 9 |
| Последние 365 дней | 0 | 0 | 0 | 9 | 9 |
| За все время | 0 | 0 | 0 | 9 | 9 |