Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6T-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм = Features of TCAD- and SPICE simulation of a charged particle impact into a 6T SRAM cell manufactured using CMOS 28nm technology node / К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов [и др.]. — 1 файл (611 Кб). — (Схемотехника и проектирование). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-826-837. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 826-837. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://elibrary.ru/item.asp?id=55172144>.