Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний = Electrical transport in porous Si-Ge/c-Si structures formed by electrochemical deposition of germanium into porous silicon / Д. Л. Горошко, И. М. Гаврилин, А. А. Дронов [и др.]. — 1 файл (698 Кб). — (Материалы электроники). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-734-744. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 734-744. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172123>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Год 2023 | Квартал 4 | 0 | 0 | 0 | 8 | 8 |
| Год 2024 | Квартал 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 |
| Квартал 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
| Квартал 3 | 0 | 0 | 0 | 2 | 2 | |
| Квартал 4 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | |
| Всего | 0 | 0 | 0 | 12 | 12 | |