Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного плазменного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур = Research and development of the deep anisotropic silicon plasma etching process with reduced sidewall roughness of the structures / А. А. Голишников, Н. А. Дюжев, В. В. Парамонов [и др.]. — 1 файл (641 Кб). — (Технологические процессы и маршруты). — DOI 10.24151/1561-5405-2023-28-6-762-772. — Текст: электронный // Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of universities. Electronics: научно-технический журнал. – 2023. – С. 762-772. — Загл. с титул. экрана. — Список литературы представлен на русском и английском языках. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://www.elibrary.ru/item.asp?id=55172133>.