Легирование Zn эпитаксиальных слоёв InAlAs и InP из планарного источника Zn[3]P[2] = Zn doping of InAlAs and InP epitaxial layers from a planar Zn[3]P[2] source / М. О. Петрушков, М. С. Аксенов, Д. Б. Богомолов [и др.]. — 1 файл. — (Физика полупроводников и элементы оптоэлектроники). — DOI 10.17586/1023-5086-2024-91-02-40-49. — Текст: электронный // Оптический журнал = Journal of optical technology. – 2024. – № 2. — С. 40-49. — Загл. с титул. экрана. — Статья, представленная на 8-ой Российской конференции и школе молодых учёных "Фотоника-2023". — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — <URL:https://eivis.ru/browse/issue/13195682/viewer?udb=12&page=43>.
| Период | Чтение | Печать | Копирование | Открытие | Итого | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Год 2024 | Квартал 4 | Октябрь | 0 | 0 | 0 | 12 | 12 |
| Ноябрь | 0 | 0 | 0 | 3 | 3 | ||
| Всего | 0 | 0 | 0 | 15 | 15 | ||